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失效分析

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半导体组件参数分析

利用SMU(Source measurement unit)供应电压或电流,验证与量测半导体组件特性(Diode I-V Curve、MOSFET特性曲线等)。

CHINAiSTI 苏试宜特能为您做什么?

可协助验证及量测半导体电子组件的参数与特性,如电容-电压特性曲线、电压-电流(IV)、电阻、电容、电感值量测或信号波形等,藉此了解组件的故障行为,以利后续的分析动作。

苏试宜特服务优势

1
快速便利
2
设备多元,可依据需求选择不同设备。
3
高分辨率,SMU可量测到10fA。
4
搭配点针台可进行各种封装型式的量测。

案例分享

  • I-V Curve案例
  • 应用范围
  • 设备描述
可在 0.1 fA - 1 A / 0.5 µV - 200 V 范围内进行精确的电流-电压(IV)测量,支持点测量、扫描测量、采样和脉冲测量
在 1 kHz 至 5 MHz 频率范围内进行交流电容测量,支持准静态电容-电压(QS-CV)测量
可选择不同模式(先进的脉冲 IV 测量和超快 IV 测量),最低采样间隔为 5 ns(200 MSa/s)
电性失效分析量测(EFA, Electrical Failure Analysis)
辅助后续电性测试(Force V measure I / Force I measure V)

 Keysight B1500A

设备极限

最多4 Channels、最高电压200 V、最大限流1A,功率为20W。

联络窗口

中国免费咨询电话 : 800-988-0501    Email: marketing_cn@chinaisti.com


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