系统厂组装成品发生烧毁，送回IC设计端，说是EOS有问题

身为IC设计者的您，该如何速找烧毁区，快速进行电路修改?

      静电无所不在，当组件遇上了超过所能负荷的电压或电流时，组件很容易就烧毁，造成EOS(Electrical Over Stress，过度电性应力)问题。成品厂出货在即，组装厂压着IC设计快点给出Solution(解决方案)，身为IC设计者的您，该如何速找烧毁区，以便进一步进行电路设计修改? 

本月宜特小学堂，将手刀奉上经典案例，简单三步骤，让您组件EOS异常点无所遁形。

【第一步骤:寻位置】

在组件通电的状态，且不破坏样品的原貌下，利用Thermal EMMI故障点热辐射传导的相位差，并快速定位故障点XYZ坐标位置。

                                                                                                      图说: Thermal EMMI影像

【第二步骤:找脱层】

有EOS问题的组件多半带有高温毁损，易将该区的IC表面及封装层击伤，因此在EOS位置容易扫出脱层现象。利用非破坏SAT超声波的方式进行扫描，找出封装体脱层位置与Thermal EMMI故障点位置一致。

                                                                                                            图说: SAT影像

【第三步骤:取晶粒】

在针对SAT与Thermal EMMI故障点位置进行取晶粒(die)后，再利用OM数字显微镜进行外观检查，即可快速正确地找出EOS烧毁区域是在 Die表面与黑胶之间。

                                                                                              图说:取晶粒(die)及OM验证