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晶圆材料分析

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芯片电路修改/点针垫侦错

聚焦式离子束显微镜(Focus Ion Beam),简称FIB)电路修改,原理是利用镓离子撞击样品表面,搭配有机气体进行有效的选择性蚀刻(切断电路)、沉积导体或非导体(新接电路)。

CHINAISTI 苏试宜特能为您做什么?


电路修改(FIB circuit)
通过聚焦式离子束显微镜(Focus Ion Beam),即可提供芯片设计者直接修改芯片电路,无需重复改光罩重新投片,不仅可降低经费,更可加速芯片设计原型(Prototype)的验证与量产上市时间(Time-to-market)。


点针垫侦错 (CAD Probe Pad)
在芯片上做信号撷取点,通过FIB将芯片设计者欲量测的信号点引出到芯片表面,并利用机械式探针(Mechanical Prober) 撷取芯片内部信号。


晶背电路修改
随着覆晶封装基材限制,与先进制程演持续进到7nm,金属绕线层增加以及更为复杂紧密的电路布局,从晶背(Silicon)进行電路修改提升可行性与成功率。

苏试宜特服务优势

1
我们共计有超过8台FIB机台,良率与产能交期大胜同业。
2
每日24小时,每周7日的不间断服务,24小时内准时回货。
3
芯片以正面施作FIB外,苏试宜特成熟的晶背FIB技术团队,在2015年领先为客户提供16nm backside FIB解决方案。

案例分享

  • 芯片正面施作修改
  • FIB点针垫侦错
  • 复杂电路施工
  • 利用FIB在芯片内部加电阻
  • 晶背电路修改
  • 应用范围
  • 设备描述
可达4.5nm分辨率,可执行16/14/10nm制程之线路修补。
最大可放置8吋晶圆。
支持 Knights Merlin CAD Navigation 软件。
高准确度雷射导引Stage。
内建红外线IR显微镜可观察CMP层及绝缘硅层 。
金属联机材质有钨(阻值较低)及白金(速度较快)两种选择。
建置FEI DE/DX蚀刻气体,应用于高深宽比、紧密电路,良率表现更为优异。

设备能量

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提升电路修改良率建议

  • 去封胶、打线或封装后,先回测再进行FIB

  • 同一颗芯片上执行越多的修改内容,Fail风险会越高。

  • FIB联机的阻值较原芯片联机要高,若有低电阻联机過高電流需求,请于委案时先注明。

  • 提供GDS II以利定位(局部区域或层数即可)作业,有助良率提升。

联络窗口

中国免费咨询电话 : 800-988-0501    Email: marketing_cn@chinaisti.com


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