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晶圆材料分析

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双束聚焦离子束 (Dual Beam FIB)

Dual Beam FIB(双束聚焦离子束)机台能在使用离子束切割样品的同时,以电子束对样品断面进行观察,亦可进行EDX成份分析。

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CHINAISTI 苏试宜特能为您做什么?
Dual Beam FIB具备超高分辨率的离子束及电子束,能针对样品的微细结构进行奈米尺度的定位及观察。离子束最大电流可达65nA,极佳的切削速度能大幅缩短分析的时长,降低实验的成本。

苏试宜特服务优势

1
三台业界高阶的Thermo Fisher Scientific Helios NanoLab Dual Beam FIB设备,提供您绝佳影像质量与机台稳定性。
2
24小时三班制运作,兼具高质量与快速交期。

案例分享

  • TEM样品制备
  • 铜晶粒分析
  • EDS分析
  • 横截面分析
  • 最薄可制备出厚度约15nm之TEM试片。

  • 采用特殊样品制备手法(研磨+ Ion milling),迅速得到大范围铜晶粒影像。

  • 75mm2大面积EDS侦测器,可达极佳的空间分辨率,实现「边切、边拍、边分析」的高阶应用。

  • Helios NanoLab具有极佳的E-beam分辨率,标示处3nm的Void与Gate Oxide均清晰可见。

  • 应用范围
  • 设备描述
半导体组件失效分析结构分析(能力可达14nm高阶制程)
半导体生产线制程异常分析
磊晶与薄膜结构分析
穿透式电子显微镜试片制作
FEI Helios NanoLab 660
样品最大尺寸:150mm
配有75mm2 SDD EDS侦测器,可进行实时EDS分析
配有MultiChem气体系统,可通入六种沉积或stain气体
观测范围宽度超过100um,或深度超过50um时,建议可改用切削速度更快速的Plasma FIB
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