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失效分析

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扫描式电子显微镜 (SEM)

扫描式电子显微镜,又扫描电镜(Scanning Electron Microscope, SEM)主要是利用微小聚焦的电子束(Electron Beam)进行样品表面扫描。 此电子束(Electron Beam)与样品间的交互作用会激发出各种信号,如: 二次电子、背向散射电子及特性X光等,SEM主要就是收集二次电子的信号来成像。

CHINAiSTI 苏试宜特能为您做什么?

SEM景深大、分辨率高,放大倍率可达到数十万倍以上,可用来观察样品表面及剖面微结构。如在设备上加装能量分散X光谱仪(Energy Dispersive Spectrometer, 简称EDS)时,可对样品表面同时进行微区之材料分析,包括定性、半定量之成分分析以及特定区域之Point、Line Scan、Mapping分析。

苏试宜特服务优势

苏试宜特拥有多台目前业界主流的场发射扫描式电子显微镜(扫描电镜,FE-SEM):FEI Nova Nano 450、Hitachi su8010、Hitachi SU8220,且加装EDS (SDD detector),可提供高解析之表面结构分析影像,亦可快速进行材料成份之分析。

案例分享

  • EDS Mapping分析
  • 电压对比
  • 半导体芯片剖面观察
  • 材料表面微结构观察(2)
  • 材料表面微结构观察(1)
  • 可显示各元素于观察表面分布情形

  • 电压对比(Passive Voltage Contrast,PVC):可应用于影像对比亮暗的差异性,作为判断contact是否有open/short的异常

  • 可应用于芯片制程成本分析

  • 金颗粒的高解析影像: 二次电子影像

  • 金颗粒的高解析影像: 背向散射电子影像

  • 低能高解析影像:二次电子影像

  • 低能高解析影像:背向散射电子影像

  • 应用范围
  • 设备描述
针对各种材料表面微结构观察
SEM量测样品尺寸,如膜厚等
EDS可针对样品表面,进行微区定性与半定量成份元素分析/ 特定区域之Point、Line Scan、Mapping分析
EDS SDD detector可在低电压下,提升Mapping的空间分辨率
利用低能电子束扫描做被动式电压对比(Passive Voltage Contrast, PVC),对于异常漏电或接触不良的半导体组件损坏可精准定位
FEI Nova Nano 450
电子枪:Schottky FE
分辨率:1nm (加速电压15kV) ,1.8nm(加速电压1kV)
倍率:45~800k
加速电压:0.2~30kV
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HITACHI SU8010
电子枪:Cold FE
分辨率:1.0nm (加速电压15kV) ,1.3nm(加速电压1kV)
倍率:30~800k
加速电压:0.1~30kV
图片1.png


HITACHI SU8220
电子枪:Cold FE
分辨率:0.8nm (加速电压15kV) ,1.1nm(加速电压1kV)
倍率:20~1000k
加速电压:0.01~30kV
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