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失效分析

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点针信号量测 (Probe)

透过OM显微镜下,利用一般点针(Prober),搭接于芯片内部线路,使其可以外接各类电性量测设备,以输入信号及量测电性曲线。

CHINAiSTI 苏试宜特能为您做什么?

借助点针(Prober)进行电性量测,对于半导体组件失效分析,均能提供直接且快速的信息。

苏试宜特服务优势

可依据不同需求,搭配多种设备进行量测。

案例分享

  • Probe
  • Gate Voltage Sweep
  • 可在不同的包装下进行量测,例如BGA Ball, Pad, FIB Pad

  • Vgs 对Ids的曲线图,当晶体管的Vds电压固定时,变动Vgs则Ids亦会改变,可以得到一条Vgs 对Ids的曲线图。此曲线可以研究在信道中的载子(电子或电洞)是如何被提升到传导带,而信道形成的临界电压及线性区的临界电压都可以被测得,可研究晶体管相当重要的特性曲线。

  • 应用范围
组件电性特性分析
微机电及芯片微结构研究
可应用在高频电路及FIB Probing PAD及Active Probe (200 MHz)。
当分析样品需使用如InGaAs/ OBIRCH / TLP / ESD / Curve Tracer等仪器却无适当治具或socket可用时,可用点针方式提供信号输入输出。
Wafer可点针进行各项测试。
实验室另架设有 Laser System,可做Laser Cut。
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