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失效分析

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激光束电阻异常侦测 (OBIRCH)

激光束电阻异常侦测(Optical Beam Induced Resistance Change,以下简称OBIRCH),以镭射光在芯片表面(正面或背面) 进行扫描,在芯片功能测试期间,OBIRCH 利用镭射扫描芯片内部连接位置,并产生温度梯度,藉此产生阻值变化,并经由阻值变化的比对,定位出芯片Hot Spot(亮点、热点)缺陷位置。

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CHINAiSTI 苏试宜特能为您做什么?

OBIRCH常用于芯片内部电阻异常(高阻抗/低阻抗)、及电路漏电路径分析。可快速对电路中缺陷定位,如金属线中的空洞、通孔(via)下的空洞,通孔底部高电阻区等,也能有效的检测短路或漏电。

苏试宜特服务优势

苏试宜特建置Double side Probe station,可进行Backside Probe免去COB样品制备的时间,节省样品制备的时间与成本。

案例分享

  • 芯片正面侦测
  • 芯片背面侦测
  • 经由OBIRCH扫描芯片正面,找到异常亮点、热点(Hot Spot)

  • 经由OBIRCH扫描芯片背面,找到异常亮点、热点(Hot Spot)

  • 应用范围
  • 设备描述
金属线/Poly/Well短路 ( Metal Short / Metal bridge)。
闸极氧化层漏电(Gate Oxide Pin Hole)
金属导通孔/接触孔阻值异常
任何有材质或厚度不一样的Short / Bridge / Leakage / High Resistance 等的芯片失效情况。

设备极限

若待测物输出电流有不稳定现象,则不适用于OBIRCH机台量测。

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