Thermal EMMI是利用InSb材质的侦测器，接收故障点通电后产生的热辐射分布，藉此定位故障点(热点、亮点Hot Spot)位置，同时利用故障点热辐射传导的时间差，即能预估芯片故障点的深度位置。
CHINAiSTI 苏试宜特能为您做什么？
检测芯片封装打线和芯片内部线路短路。
介电层 (Oxide)漏电。
晶体管和二极管的漏电。
TFT LCD面板&PCB/PCBA的金属线路缺陷和短路。
ESD 闭锁效应。
3D封装 (Stacked Die)失效点的深度预估。
芯片未开盖的故障点的定位侦测
低阻抗短路(＜10ohm)的问题分析
苏试宜特服务优势
案例分享
在低倍率下，可清楚看出芯片 表面标记 (Marking)。
在阻抗极低的短路失效样品中，利用InGaAs与OBIRCH并无法测到亮点，但Thermal EMMI可以成功清楚侦测到亮点，并且可以量测亮点相对坐标，方便之后Delayer 或Cross-section定位用。
芯片不需要开盖(Decap)，也可侦测出热点、亮点(Hot Spot)，配合X-ray可清楚判定是裸晶（Die）或是封装问题。
PCB短路问题也可以侦测到Hot Spot(热点、亮点)。
设备能量
Effect of doping on transmission through silicon:
Transmission for 100um SI and different doping levels
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